英飞凌IGBT芯片技术发展

技术支持

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发布日期	2023-07-08

英飞凌IGBT芯片技术发展,均是英飞凌IGBT代理提供。方便英飞凌IGBT用户更好了解IGBT特性。
DLC DN2 S4
平面栅非穿透技术简称NPT技术
DLC，DN2逐渐停产。
S4开关频率可以达到30kHz，英飞凌KS4系列IGBT，不是英飞凌第四代IGBT，全球一个高频应用很稳定的厂商。
KE3 KT3
沟槽栅场终止技术 Field Stop技术
低导通压降，125℃工作结温（600V器件为150℃），开关性能优化
已逐渐被E4,T4替代，仅在大功率上应用。例如3300v 6500v IGBT
KE4 KT4
沟槽栅场终止技术 Field Stop技术基础优化
高开关频率，优化开关软度，150℃工作结温。
市场主流IGBT，芯片更薄，压降低，开关频率有所提升，导通损耗，开关损耗降低。
https://infineoncn.diytrade.com/sdp/2973636/2/pl-7822847/0/%E8%8B%B1%E9%A3%9E%E5%87%8C%E4%BA%A7%E5%93%81.html

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