英飞凌IGBT芯片技术发展

英飞凌IGBT芯片技术发展,均是英飞凌IGBT代理提供。方便英飞凌IGBT用户更好了解IGBT特性。
DLC DN2 S4
平面栅非穿透技术 简称NPT技术
DLC,DN2逐渐停产。
S4开关频率可以达到30kHz,英飞凌KS4系列IGBT,不是英飞凌第四代IGBT,全球 一个高频应用很稳定的厂商。
KE3 KT3
沟槽栅场终止技术 Field Stop技术
低导通压降,125℃工作结温(600V器件为150℃),开关性能优化
已逐渐被E4,T4替代,仅在大功率上应用。例如3300v 6500v IGBT
KE4 KT4
沟槽栅场终止技术 Field Stop技术 基础优化
高开关频率,优化开关软度,150℃工作结温。
市场主流IGBT,芯片更薄,压降低,开关频率有所提升,导通损耗,开关损耗降低。
https://infineoncn.diytrade.com/sdp/2973636/2/pl-7822847/0/%E8%8B%B1%E9%A3%9E%E5%87%8C%E4%BA%A7%E5%93%81.html