英飛凌IGBT芯片技術發展

技術支持

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發布日期	2023-07-08

英飛凌IGBT芯片技術發展,均是英飛凌IGBT代理提供。方便英飛凌IGBT用戶更好了解IGBT特性。
DLC DN2 S4
平面柵非穿透技術簡稱NPT技術
DLC，DN2逐漸停產。
S4開關頻率可以達到30kHz，英飛凌KS4系列IGBT，不是英飛凌第四代IGBT，全球一個高頻應用很穩定的廠商。
KE3 KT3
溝槽柵場終止技術 Field Stop技術
低導通壓降，125℃工作結溫（600V器件為150℃），開關性能優化
已逐漸被E4,T4替代，僅在大功率上應用。例如3300v 6500v IGBT
KE4 KT4
溝槽柵場終止技術 Field Stop技術基礎優化
高開關頻率，優化開關軟度，150℃工作結溫。
市場主流IGBT，芯片更薄，壓降低，開關頻率有所提升，導通損耗，開關損耗降低。
https://infineoncn.diytrade.com/sdp/2973636/2/pl-7822847/0/%E8%8B%B1%E9%A3%9E%E5%87%8C%E4%BA%A7%E5%93%81.html

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