英飛凌IGBT模塊命名規則

英飛凌技術

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發布日期	2023-07-08

1代表電路結構
FF 兩單元
FZ 一單元
F4 四單元
FS 六單元
FP 七單元
2代表電流等級
3代表電壓等級
4代表封裝形式
K 34mm 62mm封裝
M EconolDual 封裝
I PrimePack封裝
5代表芯片工藝
E 開關頻率11k以下，飽和壓降小，導通損耗小，適合變頻器
T 開關頻率15-20kHz,適合變頻器，電源
S 開關頻率20-30kHz 適合高頻感應加熱，電源
P開關頻率2K以下，電流與開關頻率成反比，大功率IGBT頻率都比較低。

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