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英飞凌IGBT 50A/1200V半桥模块

型号︰50A/1200V
品牌︰英飞凌
原产地︰美国
单价︰CNY ¥ 100 / 件
最少订量︰10 件

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产品描述

英飞凌IGBT 50A/1200V半桥模块

描述

ACS71240系列汽车AEC-Q100合格单片霍尔效应电流传感器IC与流行的Allegro ACS711前代电流传感器IC系列相比,提供了新一代改进。这些改进包括对杂散磁场(由相邻电机或载流导线产生)的输出信号抗扰度、提高的输出信号精度(<+/-1.5%典型值)和对噪声电源电压轨的输出信号抗扰度。该设备还具有专用的快速过电流故障输出,其典型响应时间为1.5 us。这种快速故障输出提供了一种检测短路事件的简单方法,可防止逆变器、电机或其他开关电力电子应用中的MOSFET或IGBT损坏。

ACS71240有两种非常小的封装选项,每种都提供不同级别的电流隔离。微小的3mm x 3mm可湿侧翼QFN封装可用于高达120VDC的电压轨上,并支持零PPM汽车应用中所需的焊点检查。标准封装外形SOIC8封装经过UL认证,可隔离2400VRMS,并提供420VDC或297VRMS的工作电压。

ACS71240系列设计用于在需要小型单片传感器解决方案的应用中取代并联电阻器、运算放大器、电流互感器和电压隔离器。这些完全集成的解决方案消除了需要印刷电路板面积的分立元件,从而降低了电流传感的总体成本。传感器可用于5V或3.3V电源。

头像

AEC-Q100合格差分霍尔传感抑制共模杂散磁场过电流故障,工厂可编程跳闸范围为满量程电流的50%至200%非比例输出提供对噪声电源的抗扰性

电隔离:

QFN封装:120VDC工作电压

SOIC8封装:UL认证为2400VRMS,工作电压为420VDC或297VRMS

降低功率损耗:

QFN封装上的0.6 mΩ内部导体电阻

SOIC8封装上的1.2 mΩ内部导体电阻

集成屏蔽实际上消除了从电流导体到管芯的电容耦合,大大抑制了由于高dv/dt瞬态而产生的输出噪声

输出电压与交流或直流电流成比例

高带宽120 kHz模拟输出,在控制应用中实现更快的响应时间

工厂微调灵敏度和静态输出电压,提高精度

3.3和5 V单电源操作

体积小、外形小巧的QFN和SOIC8封装,适用于空间受限的应用

如您要了解更多英飞凌新闻,参考:https://infineoncn.diytrade.com/sdp/2973636/2/nl-7822849/0/英飞凌资讯.html

付款方式︰TT
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