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英飛凌IGBT芯片技術發展
2023-07-08
英飛凌IGBT芯片技術發展,均是英飛凌IGBT代理提供。方便英飛凌IGBT用戶更好了解IGBT特性。
DLC DN2 S4
平面柵非穿透技術 簡稱NPT技術
DLC,DN2逐漸停產。
S4開關頻率可以達到30kHz,英飛凌KS4系列IGBT,不是英飛凌第四代IGBT,全球 一個高頻應用很穩定的廠商。
KE3 KT3
溝槽柵場終止技術 Field Stop技術
低導通壓降,125℃工作結溫(600V器件為150℃),開關性能優化
已逐漸被E4,T4替代,僅在大功率上應用。例如3300v 6500v IGBT
KE4 KT4
溝槽柵場終止技術 Field Stop技術 基礎優化
高開關頻率,優化開關軟度,150℃工作結溫。
市場主流IGBT,芯片更薄,壓降低,開關頻率有所提升,導通損耗,開關損耗降低。
https://infineoncn.diytrade.com/sdp/2973636/2/pl-7822847/0/%E8%8B%B1%E9%A3%9E%E5%87%8C%E4%BA%A7%E5%93%81.html
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